Name: RQ3E080GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080GNTBTR-ND
Price: 2.5134 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RQ3E080GNTB
מק"ט מוצר של DigiKey	RQ3E080GNTBTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ RQ3E080GNTBCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ RQ3E080GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	RQ3E080GNTB
תיאור	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-HSMT (3.2×3)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	RQ3E080GNTB דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2.5‏ ב-mA‏1‏
יצרן Rohm Semiconductor	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 5.8 nC @ 10 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	Vgs (מקס') ±20V
סטטוס החלק פעיל	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 295 pF @ 15 V
סוג FET תעלת N	פיזור הספק (מקס') 2W (Ta), 15W (Tc)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה 150°C (TJ)
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 8A (Ta)	מארז ההתקן של הספק ‎8-HSMT (3.2×3)‎
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מארז‏ / תיבה ‎8-PowerVDFN
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏16.7‏, A‏8‏, V‏10‏	מספר מוצר בסיס RQ3E080

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (1)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
DMN3027LFG-7	Diodes Incorporated	1,660	DMN3027LFG-7DICT-ND	3.83000 ₪	דומים

1,650 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

* כל הזמנות Digi-Reel יוסיפו דמי גלילה של 26.00 ₪‏.

סרט וסליל (TR)‏