Name: RQ3E110AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E110AJTBTR-ND
Price: 4.8616 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RQ3E110AJTB
מק"ט מוצר של DigiKey	RQ3E110AJTBTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ RQ3E110AJTBCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	RQ3E110AJTB
תיאור	MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 21
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) הרכבה משטחית ‎8-HSMT (3.2×3)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	RQ3E110AJTB דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	11A (Ta), 24A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	2.5V, 4.5V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏11.7‏, A‏11‏, V‏4.5‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1.5‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (מקס')	±12V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1500 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2W (Ta)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-HSMT (3.2×3)‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	RQ3E110