Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 4.8144 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RS1E200GNTB
מק"ט מוצר של DigiKey	RS1E200GNTBTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ RS1E200GNTBCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	RS1E200GNTB
תיאור	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V A‏20‏ (Ta‏), A‏57‏ (Tc‏) 3W (Ta), 25W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-HSOP‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	RS1E200GNTB דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2.5‏ ב-mA‏1‏
יצרן Rohm Semiconductor	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 16.8 nC @ 10 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	Vgs (מקס') ±20V
סטטוס החלק פעיל	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 1080 pF @ 15 V
סוג FET תעלת N	פיזור הספק (מקס') 3W (Ta), 25W (Tc)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה 150°C (TJ)
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C A‏20‏ (Ta‏), A‏57‏ (Tc‏)	מארז ההתקן של הספק ‎8-HSOP‎
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מארז‏ / תיבה ‎8-PowerTDFN
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏4.6‏, A‏20‏, V‏10‏	מספר מוצר בסיס RS1E

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (1)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
BSC042N03LSGATMA1	Infineon Technologies	17,286	BSC042N03LSGATMA1CT-ND	5.44000 ₪	דומים

2,252 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

* כל הזמנות Digi-Reel יוסיפו דמי גלילה של 26.00 ₪‏.

סרט וסליל (TR)‏

מארז סטנדרטי של היצרן

מחיר יחידה ללא מע"מ:	4.08000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	4.81440 ₪

יתכן ותהיה מעוניין גם ב-

1 פריטים

SIR4409DP-T1-RE3

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

RS1E200GNTB