Name: RS1E260ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E260ATTB1TR-ND
Price: 15.9064 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RS1E260ATTB1
מק"ט מוצר של DigiKey	RS1E260ATTB1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ RS1E260ATTB1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ RS1E260ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	RS1E260ATTB1
תיאור	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 18
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) הרכבה משטחית ‎8-HSOP‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	RS1E260ATTB1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	26A (Ta), 80A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏3.1‏, A‏26‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	175 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	7850 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3W (Ta)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-HSOP‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	RS1E