Name: RS1G260MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G260MNTBTR-ND
Price: 8.4252 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RS1G260MNTB
מק"ט מוצר של DigiKey	RS1G260MNTBTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ RS1G260MNTBCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ RS1G260MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	RS1G260MNTB
תיאור	MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 40 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-HSOP‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	RS1G260MNTB דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	לא עבור תכנים חדשים: החלק זמין לרכישה
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	40 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	26A (Ta), 80A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏3.3‏, A‏26‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2988 pF @ 20 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3W (Ta), 35W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-HSOP‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	RS1G