Name: RS1P600BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1P600BHTB1TR-ND
Price: 16.6616 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RS1P600BHTB1
מק"ט מוצר של DigiKey	846-RS1P600BHTB1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 846-RS1P600BHTB1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 846-RS1P600BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	RS1P600BHTB1
תיאור	NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 28
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V (18A (Ta), 60A (Tc 3W (Ta), 35W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-HSOP‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	(18A (Ta), 60A (Tc
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏8.8‏, A‏18‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	4080 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3W (Ta), 35W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-HSOP‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	RS1P