SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SCT2H12NYTB
מק"ט מוצר של DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SCT2H12NYTBCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	SCT2H12NYTB
תיאור	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) הרכבה משטחית TO-268
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SCT2H12NYTB דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	מוצר שהתיישן
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1700 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	4A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	Ohm‏1.5‏ ב-A‏1.1‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏410‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+22V, -6V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	184 pF @ 800 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	44W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-268
מארז‏ / תיבה	3‏-268‏-TO‏, PAK‏3‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AA‏268‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	SCT2H12