Name: SP8M51HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SP8M51HZGTBTR-ND
Price: 10.0772 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SP8M51HZGTB
מק"ט מוצר של DigiKey	846-SP8M51HZGTBTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 846-SP8M51HZGTBCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 846-SP8M51HZGTBDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	SP8M51HZGTB
תיאור	MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 21
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 100V 3A (Ta), 2.5A (Ta) 2W (Ta) הרכבה משטחית 8‎-SOP
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	תעלת N ותעלת P
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏170‏ ב-A‏3‏, V‏10‏, mOhm‏290‏ ב-A‏2.5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	nC‏8.5‏ ב-V‏5, nC‏12.5‏ ב-V‏5
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	610pF ב-25V, 1550pF ב-25V
הספק - מקס'	2W (Ta)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מארז ההתקן של הספק	8‎-SOP
מספר מוצר בסיס	SP8M51