Name: GCMX008B120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Price: 346.9436 ILS
Availability: InStock

חדש ב-DigiKey‏

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

GCMX008B120B3H1P
מק"ט מוצר של DigiKey	1560-GCMX008B120B3H1P-ND
יצרן	SemiQ
מק"ט מוצר של היצרן	GCMX008B120B3H1P
תיאור	GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 6
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) הרכבה בשלדה
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	SemiQ
סדרה	QSiC™
אריזה	תיבה
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	קרביד סיליקון (SiC)
תצורה	4 תעלת-N‏ (גשר-מלא)
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	120A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏12‏, A‏100‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-mA‏120‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	nC‏493‏ ב-V‏18‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	14400pF ב-800V
הספק - מקס'	500W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-40°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה בשלדה
מארז‏ / תיבה	מודול
מארז ההתקן של הספק	-