Name: GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Price: 140.7268 ILS
Availability: OutOfStock

חדש ב-DigiKey‏

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

GCMX008C120S1-E1
מק"ט מוצר של DigiKey	1560-GCMX008C120S1-E1-ND
יצרן	SemiQ
מק"ט מוצר של היצרן	GCMX008C120S1-E1
תיאור	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 22
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 1200 V 188A (Tc) 536W (Tc) הרכבה בשלדה SOT-227
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	SemiQ
סדרה	QSiC™
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	188A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏12‏, A‏100‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-mA‏40‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	506 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+22V, -8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	14067 pF @ 1000 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	536W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה בשלדה
מארז ההתקן של הספק	SOT-227
מארז‏ / תיבה	SOT-227-4, miniBLOC