Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 27.6946 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

GT50JR22(STA1,E,S)
מק"ט מוצר של DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	GT50JR22(STA1,E,S)
תיאור	IGBT 600V 50A TO-3P
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	IGBT 600 V 50 A 230 W חור מעבר ‎TO-3P(N)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים IGBTs‏ IGBTs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	-
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג IGBT	-
מתח - פריצת קולט-פולט (מקס')	600 V
זרם - קולט (Ic) (מקס')	50 A
זרם קולט בפולסים (Icm)	100 A
Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic	V‏2.2‏ ב-V‏15‏, A‏50‏
הספק - מקס'	230 W
אנרגיית מיתוג	-
סוג כניסה	סטנדרטי
Td (on/off) @ 25°C	-
תנאי בדיקה	-
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
סוג ההרכבה	חור מעבר
מארז‏ / תיבה	TO-3P-3, SC-65-3
מארז ההתקן של הספק	‎TO-3P(N)‎