Name: SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J502NULFTR-ND
Price: 2.537 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SSM6J502NU,LF
מק"ט מוצר של DigiKey	SSM6J502NULFTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SSM6J502NULFCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SSM6J502NULFDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	SSM6J502NU,LF
תיאור	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) הרכבה משטחית ‎6-UDFNB (2×2)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SSM6J502NU,LF דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVI
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	20 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	6A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	1.5V, 4.5V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏23.1‏, A‏4‏, V‏4.5‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (מקס')	±8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1800 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	1W (Ta)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎6-UDFNB (2×2)‎
מארז‏ / תיבה	‎6-WDFN‏, פדים חשופים
מספר מוצר בסיס	SSM6J502