Name: TK10E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10E60WS1VX-ND
Price: 19.4818 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK10E60W,S1VX
מק"ט מוצר של DigiKey	TK10E60WS1VX-ND
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK10E60W,S1VX
תיאור	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 600 V 9.7A (Ta) 100W (Tc) חור מעבר TO-220
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK10E60W,S1VX דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	DTMOSIV
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	600 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	9.7A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏380‏, A‏4.9‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.7‏ ב-µA‏500‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±30V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	700 pF @ 300 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	100W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	חור מעבר
מארז ההתקן של הספק	TO-220
מארז‏ / תיבה	‎TO-220-3
מספר מוצר בסיס	TK10E60