Name: TK125V65Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK125V65ZLQTR-ND
Price: 24.8154 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK125V65Z,LQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TK125V65ZLQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TK125V65ZLQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TK125V65ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK125V65Z,LQ
תיאור	MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) הרכבה משטחית ‎4-DFN-EP (8×8)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK125V65Z,LQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	DTMOSVI
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	24A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏125‏, A‏12‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-mA‏1.02‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±30V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2250 pF @ 300 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	190W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎4-DFN-EP (8×8)‎
מארז‏ / תיבה	‎4-VSFN‏, פדים חשופים
מספר מוצר בסיס	TK125V65