Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 9.81807 ILS
Availability: OutOfStock

תעלת N 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) חור מעבר TO-220

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK2R4E08QM,S1X
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TK2R4E08QMS1X-ND
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK2R4E08QM,S1X
תיאור	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) חור מעבר TO-220
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK2R4E08QM,S1X דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏2.44‏, A‏50‏, V‏10‏
יצרן Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏3.5‏ ב-mA‏2.2‏
סדרה U-MOSX-H	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 178 nC @ 10 V
אריזה צינור	Vgs (מקס') ±20V
סטטוס החלק פעיל	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 13000 pF @ 40 V
סוג FET תעלת N	פיזור הספק (מקס') 300W (Tc)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה 175°C
מתח מרזב-למקור (Vdss) 80 V	סוג ההרכבה חור מעבר
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 120A (Tc)	מארז ההתקן של הספק TO-220
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 6V, 10V	מארז‏ / תיבה ‎TO-220-3

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

זמין להזמנה

בדיקת זמן האספקה

מוצר זה אינו מוחזק במלאי ב-DigiKey‏. זמן האספקה המוצג יחול על המשלוח של היצרן אל DigiKey‏. עם קבלת המוצר, DigiKey תשלח כדי למלא הזמנות פתוחות.

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

צינור

כמות	מחיר יחידה	סה"כ
50	8.32040 ₪	416.02 ₪

מארז סטנדרטי של היצרן

הערה: עקב שירותי הערך-המוסף של DigiKey, סוג האריזה עשוי להשתנות כאשר המוצר נרכש בכמויות שהן פחות מאשר באריזה הסטנדרטית.

מחיר יחידה ללא מע"מ:	8.32040 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	9.81807 ₪

TK2R4E08QM,S1X

עקבו אחרינו

מידע

יצירת קשר ותמיכה