Name: TK33S10N1Z,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK33S10N1ZLXHQTR-ND
Price: 6.9502 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK33S10N1Z,LXHQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TK33S10N1ZLXHQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TK33S10N1ZLXHQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TK33S10N1ZLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK33S10N1Z,LXHQ
תיאור	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 32
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) הרכבה משטחית ‎DPAK+‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK33S10N1Z,LXHQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVIII-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	33A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏9.7‏, A‏16.5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏500‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2050 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	125W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎DPAK+‎
מארז‏ / תיבה	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
מספר מוצר בסיס	TK33S10