Name: TK60S06K3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 10.5728 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK60S06K3L(T6L1,NQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TK60S06K3L(T6L1,NQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TK60S06K3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK60S06K3L(T6L1,NQ
תיאור	MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 60 V 60A (Ta) 88W (Tc) הרכבה משטחית ‎DPAK+‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK60S06K3L(T6L1,NQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSIV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	60A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏8‏, A‏30‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2900 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	88W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎DPAK+‎
מארז‏ / תיבה	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
מספר מוצר בסיס	TK60S06