Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 7.4576 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TK6R9P08QM,RQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TK6R9P08QM,RQ
תיאור	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 80 V 62A (Tc) 89W (Tc) הרכבה משטחית DPAK
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TK6R9P08QM,RQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSX-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	80 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	62A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏6.9‏, A‏31‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.5‏ ב-µA‏500‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2700 pF @ 40 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	89W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	DPAK
מארז‏ / תיבה	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏