Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 12.1422 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TPM1R908QM,LQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TPM1R908QMLQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TPM1R908QM,LQ
תיאור	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 80 V A‏26‏ (Ta‏), A‏238‏ (Tc‏) 3W (Ta), 250W (Tc) הרכבה משטחית SOP Advance‏-8‏ (5.75‏x‏4.9‏)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSX-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	80 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	A‏26‏ (Ta‏), A‏238‏ (Tc‏)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏1.9‏, A‏70‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.5‏ ב-mA‏1.2‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	10500 pF @ 40 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3W (Ta), 250W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	SOP Advance‏-8‏ (5.75‏x‏4.9‏)
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN