Name: TPN2010FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2010FNHL1QTR-ND
Price: 9.0624 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TPN2010FNH,L1Q
מק"ט מוצר של DigiKey	TPN2010FNHL1QTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ TPN2010FNHL1QCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ TPN2010FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TPN2010FNH,L1Q
תיאור	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-TSON Advance (3.1×3.1)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TPN2010FNH,L1Q דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVIII-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	250 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	5.6A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏198‏, A‏2.8‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏200‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	600 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	700mW (Ta), 39W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-TSON Advance (3.1×3.1)‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	TPN2010