Name: TPN4R203NC,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R203NCL1QTR-ND
Price: 1.76047 ILS
Availability: OutOfStock

TPN4R203NC,L1Q זמין לרכישה אך בדרך כלל אינו במלאי.

תחליפים זמינים:

דומים

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 0

מחיר יחידה : 1.18782 ₪

דומים

Infineon Technologies

קיים במלאי: 56

מחיר יחידה : 1.55000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TPN4R203NC,L1Q
מק"ט מוצר של DigiKey	TPN4R203NCL1QTR-ND - סרט וסליל (TR)‏
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TPN4R203NC,L1Q
תיאור	MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-TSON Advance (3.1×3.1)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TPN4R203NC,L1Q דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVIII
אריזה	סרט וסליל (TR)‏
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	23A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏4.2‏, A‏11.5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.3‏ ב-µA‏200‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1370 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	700mW (Ta), 22W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-TSON Advance (3.1×3.1)‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	TPN4R203