Name: TPN4R303NL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R303NL,L1QTR-ND
Price: 4.9088 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TPN4R303NL,L1Q
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TPN4R303NL,L1QTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TPN4R303NL,L1QCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TPN4R303NL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TPN4R303NL,L1Q
תיאור	MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-TSON Advance (3.1×3.1)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TPN4R303NL,L1Q דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVIII-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	40A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏4.3‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.3‏ ב-µA‏200‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	14.8 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1400 pF @ 15 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	700mW (Ta), 34W (Tc)
טמפרטורת פעולה	150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-TSON Advance (3.1×3.1)‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	TPN4R303