Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 5.0386 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TPW1R104PB,L1XHQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TPW1R104PB,L1XHQ
תיאור	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-DSOP Advance
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TPW1R104PB,L1XHQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSIX-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	40 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	120A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏1.14‏, A‏60‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3‏ ב-µA‏500‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	4560 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	960mW (Ta), 132W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-DSOP Advance
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	TPW1R104