Name: TW030N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW030N120CS1F-ND
Price: 161.306 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TW030N120C,S1F
מק"ט מוצר של DigiKey	264-TW030N120CS1F-ND
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	TW030N120C,S1F
תיאור	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) חור מעבר TO-247
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	-
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	60A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏40‏, A‏30‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5‏ ב-mA‏13‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+25V, -10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2925 pF @ 800 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	249W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	חור מעבר
מארז ההתקן של הספק	TO-247
מארז‏ / תיבה	TO-247-3