Name: XPN6R706NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND
Price: 6.2186 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

XPN6R706NC,L1XHQ
מק"ט מוצר של DigiKey	264-XPN6R706NCL1XHQTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 264-XPN6R706NCL1XHQCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 264-XPN6R706NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
מק"ט מוצר של היצרן	XPN6R706NC,L1XHQ
תיאור	MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-TSON Advance-WF (3.1×3.1)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	XPN6R706NC,L1XHQ דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Toshiba Semiconductor and Storage
סדרה	U-MOSVIII-H
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	40A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏6.7‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏300‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2000 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	840mW (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎8-TSON Advance-WF (3.1×3.1)‎
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	XPN6R706