אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
דומים
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית

ES1B-M3/61T | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | ES1B-M3/61T-ND - סרט וסליל (TR) |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | ES1B-M3/61T |
תיאור | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 10 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 100 V 1A הרכבה משטחית DO-214AC (SMA) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | זמן התאוששות הפוכה (TRR) 25 ns |
יצרן | זרם - דלף הפוך @ Vr 5 µA @ 100 V |
אריזה סרט וסליל (TR) | קיבוליות @ Vr, F 10pF ב-4V, 1MHz |
סטטוס החלק פעיל | סוג ההרכבה |
טכנולוגיה | מארז / תיבה |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 100 V | מארז ההתקן של הספק DO-214AC (SMA) |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 1A | טמפרטורת פעולה - צומת -55°C ~ 150°C |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 920 mV @ 1 A | מספר מוצר בסיס |
מהירות התאוששות מהירה עד 500ns, זרם Io מעל 200mA |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 16,150 | ES1B-E3/5ATGICT-ND | 1.64000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| ES1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 22,638 | ES1B-E3/61TGICT-ND | 1.64000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| ES1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1B-M3/5AT-ND | 0.35882 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| ES1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2,476 | ES1BHE3_A/HGICT-ND | 2.13000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| ES1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7,420 | 112-ES1BHE3_A/ICT-ND | 2.13000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 16,200 | 0.40957 ₪ | 6,635.03 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 0.40957 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 0.48329 ₪ |




