אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
אקוויוולנטים-פרמטרית

RS1BHE3_A/H | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | RS1BHE3_A/H-ND - סרט וסליל (TR) |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | RS1BHE3_A/H |
תיאור | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 10 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 100 V 1A הרכבה משטחית DO-214AC (SMA) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | זרם - דלף הפוך @ Vr 5 µA @ 100 V |
יצרן | קיבוליות @ Vr, F 10pF ב-4V, 1MHz |
אריזה סרט וסליל (TR) | דירוג לרכב |
סטטוס החלק פעיל | הרשאה AEC-Q101 |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 100 V | מארז / תיבה |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 1A | מארז ההתקן של הספק DO-214AC (SMA) |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 1.3 V @ 1 A | טמפרטורת פעולה - צומת -55°C ~ 150°C |
מהירות התאוששות מהירה עד 500ns, זרם Io מעל 200mA | מספר מוצר בסיס |
זמן התאוששות הפוכה (TRR) 150 ns |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 754 | 112-RS1B-E3/5ATCT-ND | 1.48000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 19,116 | RS1B-E3/61TGICT-ND | 1.48000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1B-M3/5AT-ND | 0.28142 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS1BHE3_A/I-ND | 0.35326 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| EGF1B | onsemi | 135,649 | EGF1BCT-ND | 3.74000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 7,200 | 0.35510 ₪ | 2,556.72 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 0.35510 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 0.41902 ₪ |






