אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
דומים



RS3J-M3/9AT | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | RS3J-M3/9AT-ND - סרט וסליל (TR) |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | RS3J-M3/9AT |
תיאור | DIODE STANDARD 600V 3A DO214AB |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 10 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 600 V 3A הרכבה משטחית DO-214AB (SMC) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | זמן התאוששות הפוכה (TRR) 250 ns |
יצרן | זרם - דלף הפוך @ Vr 10 µA @ 600 V |
אריזה סרט וסליל (TR) | קיבוליות @ Vr, F 34pF ב-4V, 1MHz |
סטטוס החלק פעיל | סוג ההרכבה |
טכנולוגיה | מארז / תיבה |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 600 V | מארז ההתקן של הספק DO-214AB (SMC) |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 3A | טמפרטורת פעולה - צומת -55°C ~ 150°C |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 1.3 V @ 2.5 A | מספר מוצר בסיס |
מהירות התאוששות מהירה עד 500ns, זרם Io מעל 200mA |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3J-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1,402 | RS3J-E3/57TGICT-ND | 3.12000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS3J-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3,478 | RS3J-E3/9ATGICT-ND | 3.12000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS3J-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3J-M3/57T-ND | 0.67037 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS3JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2,047 | 112-RS3JHE3_A/HCT-ND | 3.90000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| RS3JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3JHE3_A/I-ND | 0.95223 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 7,000 | 0.61531 ₪ | 4,307.17 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 0.61531 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 0.72607 ₪ |



