אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
אקוויוולנטים-פרמטרית
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

S1BHE3_A/I | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | S1BHE3_A/I-ND - סרט וסליל (TR) |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | S1BHE3_A/I |
תיאור | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 10 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 100 V 1A הרכבה משטחית DO-214AC (SMA) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | זרם - דלף הפוך @ Vr 1 µA @ 100 V |
יצרן | קיבוליות @ Vr, F 12pF ב-4V, 1MHz |
אריזה סרט וסליל (TR) | דירוג לרכב |
סטטוס החלק פעיל | הרשאה AEC-Q101 |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 100 V | מארז / תיבה |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 1A | מארז ההתקן של הספק DO-214AC (SMA) |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 1.1 V @ 1 A | טמפרטורת פעולה - צומת -55°C ~ 150°C |
מהירות התאוששות רגילה מעל 500ns, זרם Io מעל 200mA | מספר מוצר בסיס |
זמן התאוששות הפוכה (TRR) 1.8 µs |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| S1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 25,692 | S1B-E3/5ATGICT-ND | 1.08000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 26,046 | S1B-E3/61TGICT-ND | 1.08000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S1B-M3/5AT-ND | 0.21562 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S1B-M3/61T-ND | 0.22895 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5,149 | S1BHE3_A/HGICT-ND | 1.44000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 15,000 | 0.23371 ₪ | 3,505.65 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 0.23371 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 0.27578 ₪ |






