


S3MHE3_A/H | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | S3MHE3_A/HGITR-ND - סרט וסליל (TR) S3MHE3_A/HGICT-ND - סרט חתוך (CT) S3MHE3_A/HGIDKR-ND - Digi-Reel® |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | S3MHE3_A/H |
תיאור | DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 10 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 1000 V 3A הרכבה משטחית DO-214AB (SMC) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | זרם - דלף הפוך @ Vr 10 µA @ 1000 V |
יצרן | קיבוליות @ Vr, F 60pF ב-4V, 1MHz |
אריזה סרט וסליל (TR) סרט חתוך (CT) Digi-Reel® | דירוג לרכב |
סטטוס החלק פעיל | הרשאה AEC-Q101 |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 1000 V | מארז / תיבה |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 3A | מארז ההתקן של הספק DO-214AB (SMC) |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 1.15 V @ 2.5 A | טמפרטורת פעולה - צומת -55°C ~ 150°C |
מהירות התאוששות רגילה מעל 500ns, זרם Io מעל 200mA | מספר מוצר בסיס |
זמן התאוששות הפוכה (TRR) 2.5 µs |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| S3M-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 181,615 | S3M-E3/57TGICT-ND | 2.49000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S3M-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1,510 | S3M-E3/9ATGICT-ND | 2.49000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S3MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 489 | S3MHE3_A/IGICT-ND | 3.21000 ₪ | אקוויוולנטים-פרמטרית |
| S3M-13-F | Diodes Incorporated | 15,905 | S3M-FDICT-ND | 2.23000 ₪ | שדרוג |
| S3K | onsemi | 3,683 | S3KFSCT-ND | 2.56000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 3.21000 ₪ | 3.21 ₪ |
| 10 | 1.99400 ₪ | 19.94 ₪ |
| 100 | 1.29500 ₪ | 129.50 ₪ |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 850 | 0.91806 ₪ | 780.35 ₪ |
| 1,700 | 0.83299 ₪ | 1,416.08 ₪ |
| 2,550 | 0.78964 ₪ | 2,013.58 ₪ |
| 4,250 | 0.74090 ₪ | 3,148.82 ₪ |
| 5,950 | 0.71202 ₪ | 4,236.52 ₪ |
| 8,500 | 0.68396 ₪ | 5,813.66 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 3.21000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 3.78780 ₪ |

