Name: VS-3C05ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C05ET12S2L-M3TR-ND
Price: 16.756 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

VS-3C05ET12S2L-M3
מק"ט מוצר של DigiKey	112-VS-3C05ET12S2L-M3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 112-VS-3C05ET12S2L-M3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 112-VS-3C05ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
מק"ט מוצר של היצרן	VS-3C05ET12S2L-M3
תיאור	DIODE SIL CARB 1200V 5A TO263AB
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 19
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	דיודות 1200 V 5A הרכבה משטחית TO-263AB (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים דיודות מיישרים דיודות יחידות
יצרן	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	SiC (Silicon Carbide) Schottky
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס')	1200 V
זרם - מיושר, ממוצע (Io)	5A
מתח - קדמי (Vf)‏ (מקס') @ If	1.5 V @ 5 A
מהירות	אין זמן התאוששות בזרם Io מעל 500mA
זמן התאוששות הפוכה (TRR)	0 ns
זרם - דלף הפוך @ Vr	30 µA @ 1200 V
קיבוליות @ Vr‏, F	pF‏20‏ ב-V‏800‏, MHz‏1‏
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מארז ההתקן של הספק	TO-263AB (D2PAK)
טמפרטורת פעולה - צומת	-55°C ~ 175°C