VS-C08ET07T-M3 פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.
תחליפים זמינים:

אקוויוולנטים-פרמטרית

PCDP0865GC_T0_00601
Panjit International Inc.
קיים במלאי: 2,000
מחיר יחידה : 17.51000 ₪
גיליון נתונים
הצגה והשוואה של כל התחליפים
VS-C12ET07T-M3
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

VS-C08ET07T-M3

מק"ט מוצר של DigiKey
751-VS-C08ET07T-M3-ND
יצרן
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
מק"ט מוצר של היצרן
VS-C08ET07T-M3
תיאור
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
דיודות 650 V 8A חור מעבר TO-220AC
מאפייני המוצר
סוג
תיאור
בחרו הכול
קטגוריה
יצרן
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
סדרה
-
אריזה
צינור
סטטוס החלק
מוצר שהתיישן
טכנולוגיה
SiC (Silicon Carbide) Schottky
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס')
650 V
זרם - מיושר, ממוצע (Io)
8A
מתח - קדמי (Vf)‏ (מקס') @ If
1.8 V @ 8 A
מהירות
התאוששות מהירה עד 500ns, זרם Io מעל 200mA
זרם - דלף הפוך @ Vr
45 µA @ 650 V
קיבוליות @ Vr‏, F
355pF ב-1V, 1MHz
סוג ההרכבה
חור מעבר
מארז‏ / תיבה
TO-220-2
מארז ההתקן של הספק
TO-220AC
טמפרטורת פעולה - צומת
-55°C ~ 175°C
מספר מוצר בסיס
C08ET07
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

מיושן
מוצר זה אינו מיוצר יותר. הצגת תחליפים.