IRLD024PBF Vishay Siliconix | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

IRLD024PBF
מק"ט מוצר של DigiKey	IRLD024PBF-ND
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	IRLD024PBF
תיאור	MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) חור מעבר ‎4-HVMDIP‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IRLD024PBF דגמים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	-
אריזה	צינור
סטטוס החלק	מוצר שהתיישן
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	2.5A (Ta)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4V, 5V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏100‏, A‏1.5‏, V‏5‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (מקס')	±10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	870 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	1.3W (Ta)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	חור מעבר
מארז ההתקן של הספק	‎4-HVMDIP‎
מארז‏ / תיבה	‎4-DIP‏ ("0.300‏, 7.62 מ"מ)
מספר מוצר בסיס	IRLD024