
SI4564DY-T1-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SI4564DY-T1-GE3 |
תיאור | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 38 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | MOSFET - מערכים 40V 10A, 9.2A 3.1W, 3.2W הרכבה משטחית 8-SOIC |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | SI4564DY-T1-GE3 דגמים |
קטגוריה | Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm17.5, A8, V10 |
יצרן Vishay Siliconix | Vgs(th) (מקס') @ Id V2 ב-µA250 |
סדרה | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 31nC ב-10V |
אריזה סרט וסליל (TR) סרט חתוך (CT) Digi-Reel® | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 855pF ב-20V |
סטטוס החלק פעיל | הספק - מקס' 3.1W, 3.2W |
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת) | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
תצורה תעלת N ותעלת P | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
מאפיין FET שער רמה לוגית | מארז / תיבה 8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ) |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 40V | מארז ההתקן של הספק 8-SOIC |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 10A, 9.2A | מספר מוצר בסיס |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 6.79000 ₪ | 6.79 ₪ |
| 10 | 4.31600 ₪ | 43.16 ₪ |
| 100 | 2.91010 ₪ | 291.01 ₪ |
| 500 | 2.30734 ₪ | 1,153.67 ₪ |
| 1,000 | 2.11353 ₪ | 2,113.53 ₪ |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 2,500 | 1.90377 ₪ | 4,759.43 ₪ |
| 5,000 | 1.77417 ₪ | 8,870.85 ₪ |
| 7,500 | 1.70818 ₪ | 12,811.35 ₪ |
| 12,500 | 1.63966 ₪ | 20,495.75 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 6.79000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 8.01220 ₪ |








