SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FETs‏, MOSFETs‏ יחידים

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SI4800BDY-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SI4800BDY-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) הרכבה משטחית 8-SOIC
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏18.5‏, A‏9‏, V‏10‏
יצרן Vishay Siliconix	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏1.8‏ ב-µA‏250‏
סדרה TrenchFET®	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 13 nC @ 5 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	Vgs (מקס') ±25V
סטטוס החלק מוצר שהתיישן	פיזור הספק (מקס') 1.3W (Ta)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	מארז ההתקן של הספק 8-SOIC
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 6.5A (Ta)	מארז‏ / תיבה ‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מספר מוצר בסיס SI4800

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (3)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
SI4178DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6,705	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	3.54000 ₪	מומלצי MFR
FDS8884	onsemi	10	FDS8884CT-ND	3.18000 ₪	דומים
STS10N3LH5	STMicroelectronics	1,933	497-10010-1-ND	5.38000 ₪	דומים

1,001 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

מוצר זה אינו מיוצר יותר, וכאשר המוצר יאזל מהמלאי, הוא לא יהיה זמין יותר. הצגת תחליפים.

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏

מחיר יחידה ללא מע"מ:	4.82000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	5.68760 ₪

SI4800BDY-T1-GE3