SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix | מערכי FET‏, MOSFET‏

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SI4900DY-T1-E3
מק"ט מוצר של DigiKey	SI4900DY-T1-E3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SI4900DY-T1-E3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SI4900DY-T1-E3
תיאור	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 60V 5.3A 3.1W הרכבה משטחית 8-SOIC
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SI4900DY-T1-E3 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏	Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏58‏, A‏4.3‏, V‏10‏
יצרן Vishay Siliconix	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏3‏ ב-µA‏250‏
סדרה TrenchFET®	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 20nC ב-10V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 665pF ב-15V
סטטוס החלק מוצר שהתיישן	הספק - מקס' 3.1W
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
תצורה 2 תעלות N (כפול)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מאפיין FET שער רמה לוגית	מארז‏ / תיבה ‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מתח מרזב-למקור (Vdss) 60V	מארז ההתקן של הספק 8-SOIC
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 5.3A	מספר מוצר בסיס SI4900

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (9)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
SI9634DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND	4.62000 ₪	מומלצי MFR
AO4828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1062-2-ND	0.84147 ₪	דומים
DMNH6042SSDQ-13	Diodes Incorporated	5,514	DMNH6042SSDQ-13DICT-ND	6.00000 ₪	דומים
SH8K32GZETB	Rohm Semiconductor	4,288	SH8K32GZETBCT-ND	8.03000 ₪	דומים
SH8K32TB1	Rohm Semiconductor	10,004	SH8K32TB1CT-ND	7.61000 ₪	דומים

הצגת יותר

195 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

מוצר זה אינו מיוצר יותר, וכאשר המוצר יאזל מהמלאי, הוא לא יהיה זמין יותר. הצגת תחליפים.

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏

מחיר יחידה ללא מע"מ:	6.26000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	7.38680 ₪

SI4900DY-T1-E3