Name: SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA413DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 5.5342 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIA413DJ-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIA413DJ-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIA413DJ-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIA413DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIA413DJ-T1-GE3
תיאור	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 15
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 12 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK®‎ SC-70-6
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	12 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	12A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	1.5V, 4.5V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏29‏, A‏6.7‏, V‏4.5‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	57 nC @ 8 V
Vgs (מקס')	±8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1800 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK®‎ SC-70-6
מארז‏ / תיבה	PowerPAK®‎ SC-70-6
מספר מוצר בסיס	SIA413