Name: SIAA02DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 3.835 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIAA02DJ-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIAA02DJ-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 19
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK®‎ SC-70-6
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIAA02DJ-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET® Gen IV
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	20 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	2.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏4.7‏, A‏8‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1.6‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	+12V, -8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1250 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.5W (Ta), 19W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK®‎ SC-70-6
מארז‏ / תיבה	PowerPAK®‎ SC-70-6
מספר מוצר בסיס	SIAA02

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

6,966 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

* כל הזמנות Digi-Reel יוסיפו דמי גלילה של 26.00 ₪‏.

סרט וסליל (TR)‏