


SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHB11N80AE-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 22 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | SIHB11N80AE-GE3 דגמים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 42 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 804 pF @ 100 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 78W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 800 V | מארז ההתקן של הספק TO-263 (D2PAK) |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm450, A5.5, V10 |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 10.23000 ₪ | 10.23 ₪ |
| 10 | 6.62800 ₪ | 66.28 ₪ |
| 100 | 4.57270 ₪ | 457.27 ₪ |
| 500 | 3.69396 ₪ | 1,846.98 ₪ |
| 1,000 | 3.41162 ₪ | 3,411.62 ₪ |
| 2,000 | 3.17423 ₪ | 6,348.46 ₪ |
| 5,000 | 2.91756 ₪ | 14,587.80 ₪ |
| 10,000 | 2.88991 ₪ | 28,899.10 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 10.23000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 12.07140 ₪ |

