ישירים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

SIHB18N60E-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIHB18N60E-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHB18N60E-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 24 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 92 nC @ 10 V |
אריזה צינור | Vgs (מקס') ±30V |
סטטוס החלק פעיל | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 1640 pF @ 100 V |
סוג FET | פיזור הספק (מקס') 179W (Tc) |
טכנולוגיה | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 600 V | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז ההתקן של הספק TO-263 (D2PAK) |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מארז / תיבה |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm202, A9, V10 | מספר מוצר בסיס |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 52 | TK20G60WRVQCT-ND | 14.76000 ₪ | ישירים |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | 16.92000 ₪ | דומים |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 7,928 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | 16.46000 ₪ | דומים |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 23.09000 ₪ | דומים |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | 10.49757 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1,000 | 4.97996 ₪ | 4,979.96 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 4.97996 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 5.87635 ₪ |








