דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIHB22N60AE-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHB22N60AE-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 24 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK) |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | SIHB22N60AE-GE3 דגמים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 96 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 1451 pF @ 100 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 179W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 600 V | מארז ההתקן של הספק TO-263 (D2PAK) |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm180, A11, V10 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1,795 | FCB20N60FTMCT-ND | 23.02000 ₪ | דומים |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1,095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | 13.90000 ₪ | דומים |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,015 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | 10.23000 ₪ | דומים |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 3,075 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | 13.74000 ₪ | דומים |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 25.64000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1,000 | 7.01468 ₪ | 7,014.68 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 7.01468 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 8.27732 ₪ |









