Name: SIHB22N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N60ET1-GE3TR-ND
Price: 18.7266 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIHB22N60ET1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIHB22N60ET1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SIHB22N60ET1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SIHB22N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIHB22N60ET1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 600V 21A TO263
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏4‏ ב-µA‏250‏
יצרן Vishay Siliconix	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 86 nC @ 10 V
סדרה E	Vgs (מקס') ±30V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 1920 pF @ 100 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 227W (Tc)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 600 V	מארז ההתקן של הספק TO-263 (D2PAK)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 21A (Tc)	מארז‏ / תיבה 3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V	מספר מוצר בסיס SIHB22
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏180‏, A‏11‏, V‏10‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (4)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
FCB199N65S3	onsemi	578	488-FCB199N65S3CT-ND	16.92000 ₪	דומים
IXFA22N65X2	IXYS	4,207	238-IXFA22N65X2-ND	25.64000 ₪	דומים
R6020ENJTL	Rohm Semiconductor	2,478	R6020ENJTLCT-ND	13.25000 ₪	דומים
STB24N60DM2	STMicroelectronics	515	497-15423-1-ND	13.12000 ₪	דומים