Name: SIHB30N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB30N60E-GE3-ND
Price: 26.845 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIHB30N60E-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIHB30N60E-GE3-ND
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIHB30N60E-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 20
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	-
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	600 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	29A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏125‏, A‏15‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±30V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2600 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	250W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-263 (D2PAK)
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	SIHB30