Name: SIHB6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB6N65E-GE3-ND
Price: 11.2454 ILS
Availability: OutOfStock

SIHB6N65E-GE3 אזל מהמלאי וניתן להזמין כהזמנה-ממתינה.

תחליפים זמינים:

דומים

STMicroelectronics

קיים במלאי: 1,456

מחיר יחידה : 19.03000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIHB6N65E-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SIHB6N65E-GE3-ND
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIHB6N65E-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 25
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	-
אריזה	צינור
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	7A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏600‏, A‏3‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±30V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	820 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	78W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-263 (D2PAK)
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	SIHB6

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

0‏ במלאי

בדיקת זמן האספקה

בקשת הודעה על מלאי

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

צינור