דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

SIHD1K4N60E-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIHD1K4N60E-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHD1K4N60E-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 24 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 600 V 4.2A (Tc) 63W (Tc) הרכבה משטחית DPAK |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V5 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 7.5 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה בתפזורת | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 172 pF @ 100 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 63W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 600 V | מארז ההתקן של הספק DPAK |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs Ohm1.45 ב-mA500, V10 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD7N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1483-1-ND | 5.80000 ₪ | דומים |
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | 39,558 | IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND | 3.18000 ₪ | דומים |
| IPD65R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | 11,281 | 448-IPD65R1K4C6ATMA1CT-ND | 4.49000 ₪ | דומים |
| SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 15,882 | 448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND | 6.00000 ₪ | דומים |
| STD5N60DM2 | STMicroelectronics | 355 | 497-16928-1-ND | 4.72000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 5.97000 ₪ | 5.97 ₪ |
| 10 | 3.77800 ₪ | 37.78 ₪ |
| 100 | 2.53070 ₪ | 253.07 ₪ |
| 500 | 1.99508 ₪ | 997.54 ₪ |
| 1,000 | 1.82282 ₪ | 1,822.82 ₪ |
| 2,000 | 1.67790 ₪ | 3,355.80 ₪ |
| 6,000 | 1.49400 ₪ | 8,964.00 ₪ |
| 10,000 | 1.42428 ₪ | 14,242.80 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 5.97000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 7.04460 ₪ |





