
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHD2N80AE-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 22 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) הרכבה משטחית TO-252AA |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 10.5 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 180 pF @ 100 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 62.5W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה הרכבה משטחית |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 800 V | מארז ההתקן של הספק TO-252AA |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs Ohm2.9 ב-mA500, V10 |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 5.81000 ₪ | 5.81 ₪ |
| 10 | 3.69800 ₪ | 36.98 ₪ |
| 100 | 2.48040 ₪ | 248.04 ₪ |
| 500 | 1.95868 ₪ | 979.34 ₪ |
| 1,000 | 1.79081 ₪ | 1,790.81 ₪ |
| 3,000 | 1.57770 ₪ | 4,733.10 ₪ |
| 6,000 | 1.47046 ₪ | 8,822.76 ₪ |
| 12,000 | 1.38034 ₪ | 16,564.08 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 5.81000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 6.85580 ₪ |






