תעלת N 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) הרכבה משטחית ‎TO-252AA‎
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIHD2N80AE-GE3

מק"ט מוצר של DigiKey
742-SIHD2N80AE-GE3-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
SIHD2N80AE-GE3
תיאור
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן
שבועות 24
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
תעלת N 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) הרכבה משטחית ‎TO-252AA‎
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מאפייני המוצר
סוג
תיאור
בחרו הכול
קטגוריה
יצרן
סדרה
אריזה
צינור
סטטוס החלק
פעיל
סוג FET
טכנולוגיה
מתח מרזב-למקור (Vdss)
800 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')
10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs
Ohm‏2.9‏ ב-mA‏500‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (מקס')
±30V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
180 pF @ 100 V
מאפיין FET
-
פיזור הספק (מקס')
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג
-
הרשאה
-
סוג ההרכבה
הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק
‎TO-252AA‎
מארז‏ / תיבה
מספר מוצר בסיס
שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

1,559 :‏ במלאי
בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף
כל המחירים הם ב- ILS
צינור
כמות מחיר יחידה סה"כ
16.17000 ₪6.17 ₪
103.92200 ₪39.22 ₪
1002.63100 ₪263.10 ₪
5002.07758 ₪1,038.79 ₪
1,0001.89952 ₪1,899.52 ₪
3,0001.67347 ₪5,020.41 ₪
6,0001.55972 ₪9,358.32 ₪
12,0001.46413 ₪17,569.56 ₪
מארז סטנדרטי של היצרן
הערה: עקב שירותי הערך-המוסף של DigiKey, סוג האריזה עשוי להשתנות כאשר המוצר נרכש בכמויות שהן פחות מאשר באריזה הסטנדרטית.
מחיר יחידה ללא מע"מ:6.17000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:7.28060 ₪