דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

SIHG11N80E-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIHG11N80E-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHG11N80E-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 24 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) חור מעבר TO-247AC |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 88 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 1670 pF @ 100 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 179W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה חור מעבר |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 800 V | מארז ההתקן של הספק TO-247AC |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm440, A5.5, V10 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| APT18M80B | Microchip Technology | 78 | APT18M80B-ND | 21.68000 ₪ | דומים |
| IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW65R420CFDFKSA1-ND | 0.00000 ₪ | דומים |
| IXFH14N60P | IXYS | 0 | IXFH14N60P-ND | 23.68000 ₪ | דומים |
| IXFH14N60P3 | IXYS | 0 | IXFH14N60P3-ND | 7.83433 ₪ | דומים |
| IXFH15N60 | IXYS | 0 | IXFH15N60-ND | 22.91500 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 500 | 6.45608 ₪ | 3,228.04 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 6.45608 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 7.61817 ₪ |




