דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

SIHG21N65EF-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIHG21N65EF-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHG21N65EF-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 28 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) חור מעבר TO-247AC |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | SIHG21N65EF-GE3 דגמים |
Category | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 106 nC @ 10 V |
אריזה צינור | Vgs (מקס') ±30V |
סטטוס החלק פעיל | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 2322 pF @ 100 V |
סוג FET | פיזור הספק (מקס') 208W (Tc) |
טכנולוגיה | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 650 V | סוג ההרכבה חור מעבר |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז ההתקן של הספק TO-247AC |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מארז / תיבה |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm180, A11, V10 | מספר מוצר בסיס |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 158 | 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND | 14.23000 ₪ | דומים |
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | 702 | IPW60R190P6FKSA1-ND | 13.64000 ₪ | דומים |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5,060 | 238-IXFH22N65X2-ND | 27.12000 ₪ | דומים |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | 15.19000 ₪ | דומים |
| IXFH30N60X | IXYS | 0 | IXFH30N60X-ND | 13.91540 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 500 | 9.74682 ₪ | 4,873.41 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 9.74682 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 11.50125 ₪ |








