דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים
דומים

SIHG22N60AE-GE3 | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | SIHG22N60AE-GE3-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | SIHG22N60AE-GE3 |
תיאור | MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 24 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) חור מעבר TO-247AC |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-µA250 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 96 nC @ 10 V |
סדרה | Vgs (מקס') ±30V |
אריזה צינור | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 1451 pF @ 100 V |
סטטוס החלק פעיל | פיזור הספק (מקס') 179W (Tc) |
סוג FET | טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ) |
טכנולוגיה | סוג ההרכבה חור מעבר |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 600 V | מארז ההתקן של הספק TO-247AC |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז / תיבה |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מספר מוצר בסיס |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm180, A11, V10 |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH22N60N | onsemi | 0 | FCH22N60N-ND | 0.00000 ₪ | דומים |
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 162 | 448-IPW60R180C7XKSA1-ND | 15.15000 ₪ | דומים |
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 12.69000 ₪ | דומים |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5,042 | 238-IXFH22N65X2-ND | 30.14000 ₪ | דומים |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | 15.19000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 17.31000 ₪ | 17.31 ₪ |
| 10 | 11.49400 ₪ | 114.94 ₪ |
| 100 | 8.18290 ₪ | 818.29 ₪ |
| 500 | 6.77090 ₪ | 3,385.45 ₪ |
| 1,000 | 6.31760 ₪ | 6,317.60 ₪ |
| 2,000 | 5.93661 ₪ | 11,873.22 ₪ |
| 5,000 | 5.90279 ₪ | 29,513.95 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 17.31000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 20.42580 ₪ |







