Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 23.1398 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SIJH112E-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SIJH112E-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 29
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® 8 x 8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SIJH112E-T1-GE3 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏2.8‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	8050 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.3W (Ta), 333W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® 8 x 8
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	SIJH112